Иван Березин, директор по технологическому развитию АО «ОНИИП»

27
мая

АО «ОНИИП» (далее – институт, предприятие) осуществляет полный цикл работ от разработки до выпуска изделий и комплексов радиосвязи с собственной базой микро- и функциональной электроники. Институт является базовым предприятием Минобороны России области дальней КВ-радиосвязи.

 

В настоящее время АО «ОНИИП» разрабатывает и производит изделия функциональной микроэлектроники, способные заменить ряд импортных аналогов, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре отечественного производства. К их числу относятся резонаторы, устройства частотой селекции и стабилизации частоты, СВЧ-компоненты, которые заменяют около 500 аналогов, выпускаемых компаниями США, Японии, Англии, Германии, Тайваня, Новой Зеландии, Франции. Но производственные возможности предприятия позволяют осуществлять только единичный и мелкосерийный выпуск обозначенной продукции.

 

Кроме того, на базе дизайн-центра проектирования СБИС «Система на кристалле» институтом создан ряд микросхем телекоммуникационного назначения, устройств цифровой обработки сигнала, сетевых коммутаторов, устройств управления, радиационно-стойких и радиочастотных СБИС, который импортозамещает 50 наименований номенклатуры ЭКБ по технологическим нормам 350 нм, 180 нм, 130 нм таких компаний США как Analog Devices, Maxim, Texas Instruments, NXP Semiconductors, Silicon Laboratories.

 

В целях дальнейшего развития направления импортозамещения в производстве средств микро- и функциональной электроники, выхода на серийный выпуск продукции институту необходимо провести техническое перевооружения и дооснащение оборудованием научно-технических, лабораторных и производственных подразделений , а также выполнить более 20-ти НИОКР по созданию и разработке новых радиоэлектронных изделий и технологий.

 

Реализация указанных мероприятий в полном объеме позволит институту:

 

— освоить импортозамещающий выпуск не менее 2000 типов иностранных комплектующих;

 

— организовать крупносерийный выпуск изделий функциональной микроэлектроники в объеме не менее 1 млрд. рублей в год;

 

— обеспечить возможность создания современных высокоскоростных и высокочастотных отечественных сверхбольших интегральных схем с технологическими нормами до 28 нм для создания современной импортонезависимой аппаратуры на основе разработанной электронной компонентной базы и освоения ряда новых перспективных направлений, таких как когнитивные интеллектуальные радиосистемы, коммутаторы и маршрутизаторы с возможностью анализа трафика и криптографической защитой информации, беспроводные каналы управления робототехникой и беспилотными летательными аппаратами, цифровое радио- и видеовещание, индустриальный интернет вещей (IIoT);

 

— увеличить в два раза импортозамещающую номенклатуру производимых устройств вторичного электропитания и объемы их изготовления;

 

— создать новые рабочие места;

 

— повысить инвестиционную привлекательность Омского региона.

Комментарии к статье

    No comments yet.
    Notice: Undefined variable: user_ID in /home/s/staskl6z/ng-sherbakul.ru/public_html/wp-content/themes/nashagazeta/comments.php on line 43